大石(敏)研究室 卒業論文一覧

　 アブストラクト(学内専用)

2023年度

修士論文

・デバイスシミュレーションパラメータと正弦波信号がGaN HEMTのYパラメータとDC特性に与える影響の研究

・電気的ストレスと順方向バイアスの低周波Yパラメータ測定によるGaN HEMTの表面トラップに関する研究

・GaN HEMTにおけるトラップの過渡応答特性評価とY21・Y22特性との比較に関する研究

卒業研究

・GaN HEMTのYパラメータのバイアス依存性に関するデバイスシミュレーションを用いた研究

・アクセプタ型トラップまたはドナー型トラップがGaN HEMT のY パラメータに与える影響に関するデバイスシミュレーションによる研究

・AlGaN/GaN HEMTの表面トラップ位置が低周波Yパラメータに与える影響(デバイスシミュレーション）

・小信号正弦波の応答によるGaNトランジスタ(HEMT)のトラップ解析

・過渡応答測定によるGaN HEMT超低周波領域のトラップ評価に関する研究

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2022年度

修士論文

・GaN HEMTに対する過渡応答と低周波Yパラメータを用いたトラップ信号のバイアス依存性に関する研究

・低周波Yパラメータを用いたGaN HEMT表面のトラップ評価に関する研究

・デバイスシミュレーションを用いたGaN HEMTにおけるアクセプタ型トラップ深さが低周波Yパラメータへ与える影響に関する研究

卒業研究

・GaNデバイスを用いたレクテナ回路作製に向けた実装技術に関する研究

・熱パラメータがGaN HEMTの電気的特性に与える影響に関してデバイスシミュレーションを用いた研究

・デバイスシミュレーションを用いたGaN HEMTの表面アクセプタ型離散トラップ準位が低周波Yパラメータに与える影響に関する研究

・フィールドプレート構造とFe不純物がGaN HEMTの低周波 Y_21 と Y_22 に与える影響の研究

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2021年度

修士論文

・イオン注入法を用いたダイヤモンドショットキーバリアダイオードの作製と電気的特性についての研究

・低周波 Y パラメータの温度，電圧依存性を利用したGaN トランジスタ中トラップの評価に関する研究

卒業研究

・デバイスシュミレーションによるパワーデバイス用 GaN HEMT のアクセス領域構造の研究

・回路シミュレーションによる GaN HEMT と Si SBD のカスコード接続回路に関する研究

・デバイスシミュレーションを用いた移動度パラメータが GaN HEMT の低周波 Y22 特性に与える影響の研究

・二端子対回路網の測定による Fe ドープされたGaN HEMT のバッファトラップの特性に関する研究

・過渡応答測定による GaN HEMT トラップの室温における初期評価に関する研究

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2020年度

修士論文

・GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の研究

・デバイスシミュレーションによる多層GaN 構造をもつAlGaN/GaN HEMT のサイドゲート効果の検討

卒業研究

・低周波Yパラメータの測定とGaN HEMTのトラップの評価に関する研究

・Zパラメータの広帯域測定を用いたGaN デバイス中の深い準位の評価解析に関する研究

・LTspiceを用いた高出力高周波レクテナ用GaNショットキーバリアダイオードに関する研究

・二層レジストを用いたダイヤモンドショットキーバリアダイオードの作製に向けた研究

・シミュレーションによる低周波Yパラメータに対するAlGaN/GaN HEMTのバッファトラップと自己発熱の影響の検討

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2019年度

修士論文

・GaN HEMTとSiダイオードのカスコード接続を使用したRF-DC変換回路の研究

・β-Ga2O3半導体を利用した炎検知センサとレクテナ回路への応用研究

・ダイヤモンドMOSFETにおける微細ゲートと寄生容量低減構造の作製に関する研究

・大電力高周波レクテナ用ダイヤモンドSBDの回路実装に向けたデバイス作製に関する研究

卒業研究

・イオン注入技術を適用したダイヤモンドショットキーバリアダイオードの研究

・デバイスシミュレーションを用いた低周波YパラメータによるGaN HEMTのバッファトラップに関する研究

・ワイドバンドギャップ半導体を用いたRF-DC変換回路の高周波特性の研究

・低周波Yパラメータ測定系の構築とGaN HEMTの初期評価に関する研究

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2018年度

修士論文

・大電力レクテナに向けたGa2O3ショットキーバリアダイオードを用いた変換回路の作製と高周波動作に関する研究

・ヘテロエピタキシャルダイヤモンドMOSFETのDC特性および高周波特性評価

・Al2O3中間層を用いたダイヤモンドショットキーバリアダイオードの作製とRF-DC変換動作に関する研究

卒業研究

・ダイヤモンドFETの高耐圧化に向けたウエットエッチングによる二層金属T型ゲート電極の形成プロセスの検討

・ワイヤーボンディングを用いてダイヤモンドMOSFETを高周波回路に組み込むための作製プロセスに関する研究

・Thin Surface Barrier modelを使ったβ?Ga2O3ショットキーバリアダイオードの伝導機構に関する研究

・ダイヤモンドを用いたデュアルダイオード型RF-DC変換回路 のシミュレーションによる研究

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2017年度

修士論文

・高出力高周波レクテナ用ワイドバンドギャップ半導体ショットキーバリアダイオードにおける抵抗・容量積の検討と高電圧化に関する研究

・NO2ホールドーピングダイヤモンドMOSFETのDCストレス劣化メカニズムの検討と高温アルミナ適用エッチングプロセスの研究

卒業研究

・GaN HEMTを実装したコプレーナ線路の作製とパルス応答測定の研究

・大電力レクテナ用酸化ガリウムSBDのキャリア濃度がRF-DC変換動作に与える影響の研究

・ワイドバンドギャップ半導体のトランジスタとSiダイオードのカスコード接続を使用した高周波回路の作製とRF/DC変換効率動作の研究

・微細ゲートダイヤモンドMOSFETに向けたフォトマスクの作製とゲートレジストパターン形成の研究

・大電力高周波レクテナ用ダイヤモンドＳＢＤの回路実装に向けたワイヤーボンディングに関する研究

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2016年度

修士論文

・低周波S パラメータ測定によるGaN HEMT のバッファトラップ評価に関する研究　

・大電力レクテナに向けたGaN SBD の小信号モデルの検討と
カスコード応用型レクテナ回路作製に関する研究　

卒業研究

・高電力高周波レクテナ用GaN HEMT　RF-DC 変換回路の作製と評価に関する研究　

・イメージリバース法を用いたダイヤモンドMOSFET の作製と
電界効果移動度測定に関する研究　

・ＮＯ2 ホールドーピングダイヤモンドMOSFET のデバイスシミュレーションへの
固定電荷モデル適用に関する研究　

・大電力高周波レクテナ用ダイヤモンドSBDの作製技術の改良と
RF-DC 変換効率の評価　

・GaN HEMT のスイッチング高速化に向けたパルス特性測定系の構築・評価　

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2015年度

卒業研究

・デバイスシミュレーションによる窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの
パラメータ依存性に関する研究　

・ダイヤモンドショットキーバリアダイオードの作製とレクテナ回路への応用　　

・原子層堆積法によるAl2O3の作製と電気的特性に関する研究　

・インピーダンスの周波数特性測定系の立ち上げとGaNショットキーバリアダイオードへの適用
　

・過渡応答測定による窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのトラップの影響　

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2014年度

卒業研究

・GaN HEMTのゲート長依存性の検討

・デバイスシミュレーションによるGaN HEMTとダイヤモンドFETの研究　

・窒化ガリウムショットキーバリアダイオードの三端子構造を用いた解析　

・二次元構造におけるGaNショットキーバリアダイオードの電極端効果に関する研究