2023年度

・大石 敏之, 東島 拓海,　久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治、“GaN HEMTのGaNトラップのY22/Y21信号と過渡応答特性比較-マルチバイアスでの比較-” 2024年電子情報通信学会総合大会，広島大　（2024年3月6日） C-10-8.

・大石 敏之,　高田 栞,　久樂 顕,　山口 裕太郎,　新庄 真太郎,　山中 宏治　　「低周波Yパラメータ（Y11、Y22）を利用したGaN HEMTのトラップ評価」　電子情報通信学会研究会　ED2023-67、2024年1月25日, 機械振興会館（ハイブリッド開催）　pp.7-10.

・東島 拓海, 高田 栞, 大石 敏之, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治、“低周波Y21とゲートラグ測定によるGaN HEMTのトラップピーク周波数のドレイン電圧依存性評価”2023年度応用物理学会九州支部学術講演会，九州大学（2022年11月26日） 26Aa-9.

・西嶋 尚, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 大石 敏之, 新庄 真太郎, 山中 宏治, "GaN HEMT のDC パラメータがトラップ特性（低周波Y22）に与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）”, 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本＆オンライン（2023年9月19日-23日）22a-B201-6.

・大石 敏之, 高田 栞, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治, "GaN HEMT に対する低周波Y21 とY22 信号のドレイン電圧依存性”, 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本＆オンライン（2023年9月19日-23日）22a-B201-7.

・大石 敏之, 諸隈 奨吾, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治, "GaN HEMT 中のトラップ位置と低周波Y21/Y22 虚部の関係（デバイスシミュレーションによる検討）”, 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本＆オンライン（2023年9月19日-23日）22a-B201-8.

・津山 慎樹, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 大石 敏之, 新庄 真太郎, 山中 宏治, " S パラメータの周波数依存性を用いたトランジスタ動作時におけるGaN HEMT のトラップとRF 特性の同時評価”, 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本＆オンライン（2023年9月19日-23日）22a-B201-9.

・大石 敏之, 南條 拓真, 古橋 壮之, 西川 和康, " ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMT における膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCAD による検討”, 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本＆オンライン（2023年9月19日-23日）22p-B201-9.

・白土智基， ニロイ チャンドラ サハ, 大石敏之, 嘉数 誠, " ダイヤモンドNO2 p 型ドープMOSFET の長時間(100h)AC ストレス測定”, 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本＆オンライン（2023年9月19日-23日）23p-B201-4.

2022年度

・ 諸隈 奨吾,　大塚 友絢,　大石 敏之,　山口 裕太郎,　新庄 真太郎,　山中 宏治　　「GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討−デバイスシミュレーション−」　電子情報通信学会研究会　ED2022-91、2023年1月27日, 機械振興会館（ハイブリッド開催）　pp.29-32.

・加地 大樹、田渕 将也、大塚 友絢、山口 裕太郎、大石 敏之、新庄 真太郎、山中 宏治、" GaN HEMTのGaNトラップによるY22信号と過渡応答特性の比較”,第70回応用物理学会春季学術講演会，上智大学　四谷キャンパス＆オンライン（2023年3月15日-18日）18a-A301-12.

・白土 智基、ニロイ チャンドラ サハ、金 聖祐、小山 浩司、大石 敏之、嘉数 誠、" ダイヤモンドMOSFET の高速(<10ns)スイッチング動作” 2023年電子情報通信学会総合大会，芝浦工大　（2023年3月10日）C-10-6.

・高田 栞、大石 敏之、大塚 友絢、山口 裕太郎、津留 正臣、山中 宏治、“低周波Y パラメータを用いたGaN HEMT トラップ評価における表面処理と光照射の効果に関する研究”2022年度応用物理学会九州支部学術講演会，大分大学（2022年11月26日） 26Ba-7.

・諸隈 奨吾、大石 敏之、大塚 友絢、山口 裕太郎、津留 正臣、山中 宏治、“GaN HEMT のGaN トラップ位置が低周波Y パラメータに与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）”2022年度応用物理学会九州支部学術講演会，大分大学（2022年11月26日） 26Ba-6.

・西田 大生,　 大石敏之,　大塚 友絢,　山口裕太郎,　新庄真太郎,　山中 宏治　　「低周波 Y22 パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価」　電子情報通信学会研究会　ED2022-34 、2022年11月24日, ウインク愛知（ハイブリッド開催）　p.49.

・入江 優雅、サハ ニロイチャンドラ、関 裕平、中山 隼、金 聖祐、小山 浩司、大石 敏之、嘉数 誠、星野 靖、中田 穣治、"耐圧1651 V, 整流比3.6×105の全イオン注入法により作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード”, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会，東北大学＆オンライン（2022年9月22日）22p-B204-18.

・関 裕平、重松 誠也、大石 敏之、嘉数 誠、星野 靖、中田 穣治、" Bイオン注入のみで作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード”, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会，東北大学＆オンライン（2022年9月22日）22p-B204-17.

・サハ ニロイ チャンドラ、金 聖祐、小山 浩司、大石 敏之、嘉数 誠、"3659 V, 0.37 A /mm 微傾斜ダイヤモンド上に作製した NO2ドープ ダイヤモンド MOSFET”, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会，東北大学＆オンライン（2022年9月21日）21a-M206-13.

・東島拓海，加地大樹，大石敏之，大塚友絢，山口裕太郎，都留正臣，山中宏治，“過渡応答測定を用いたGaN HEMTトラップ時定数のドレイン電圧依存性の検討” 2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン（2022年9月16日-17日）、05-2A-12.

・西嶋尚，諸隈奨吾，大石敏之，大塚友絢，山口裕太郎，都留正臣，山中宏治，“移動度パラメータがGaN HEMTの低周波Y22特性に与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）” 2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン（2022年9月16日-17日）、05-2A-11.

・ 加地 大樹，田渕 将也，大石 敏之，大塚 友絢，山口 裕太郎，津留 正臣，山中宏治，“低ドレイン電流時のY22によるGaN HEMTのトラップ解析” 2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン　（2022年9月16日-17日）、05-2A-10.

・ サハ ニロイ チャンドラ、金聖祐、大石敏之、嘉数誠、"875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2ドープダイヤモンドMOSFET”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学相模原キャンパス+オンライン（2022年3月22日）22p-E302-10.

・ サハ ニロイ チャンドラ、金聖祐、大石敏之、嘉数誠、"820 MW/cm2 3326 V 0.42 A/mm選択ドープダイヤモンドMOSFET”, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学相模原キャンパス+オンライン（2022年3月22日）22p-E302-9.

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2021年度

・ 大塚 友絢，山口 裕太郎，津留 正臣，大石 敏之、“GaN HENTの低周波Yパラメータ特性におけるバッファトラップと表 面トラップの異なる特性に対するメカニズム解析” 2022年電子情報通信学会総合大会，オンライン開催　（2021年3月16日）C-10-2.

・ 山口 裕太郎，中谷圭吾，大塚 友絢，津留 正臣，大石 敏之、“トラップの影響を考慮した Ka 帯 GaN コンパクトモデルの変調特性の精度改善” 2022年電子情報通信学会総合大会，オンライン開催　（2021年3月16日）C-2-8.

・ 諸隈奨吾，大塚友絢，山口裕太郎，津留正臣，大石敏之、“GaN HEMTのGaN層中トラップと自己発熱効果が低周波Y22へ与える影響(デバイスシミュレーションによる検討)”　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会，オンライン開催（2021年12月4-5日） 4Bp-4.

・ 田渕将也，大塚友絢，山口裕太郎，加地大樹，津留正臣，大石敏之、“GaN HEMTの飽和領域における低周波Y21の温度特性を用いたトラップ評価”　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会，オンライン開催（2021年12月4-5日） 4Bp-5.

・ ��田栞，田渕将也，大塚友絢，山口裕太郎，津留正臣，大石敏之、“ゲート電流を注入したGaN　HEMTにおける回路パラメータの周波数依存性に関する研究”　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会，オンライン開催（2021年12月4-5日） 4Bp-6.

・ 嘉数 誠、サハ ニロイ チャンドラ、金 聖祐、大石 敏之, "選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ”, 2021年第82回応用物理学会春季学術講演会，オンライン開催（2021年9月12日）12p-N305-9.

・ 重松 誠弥、関 裕平、星野 靖、中田 穣治、大石 敏之、嘉数 誠, "全てイオン注入法でドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード”, 2021年第82回応用物理学会春季学術講演会，オンライン開催（2021年9月12日）12p-S301-8.

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2020年度

・ 西村 匠史,　田渕 将也,　山口 裕太郎,　大塚 友絢,　新庄 真太郎,　山中 宏治,　大石 敏之　「GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の評価」　映像情報メディア学会研究会　放送技術研究会（BCT）　BCT2021-2、　2021年01月22日 オンライン　p.5-8.

・ 伊藤海到,　大石敏之　「異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析」　電子情報通信学会研究会　ED2020-32 、2021年01月29日, オンライン　p.27-29.

・ 嘉数 誠、スダーン セイリープ、佐々木 公平、大石 敏之、川崎 克己、平林 潤、倉又 朗人“超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定”2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会，オンライン開催（2020年9月9日）9p-Z20-11.

・ 西村匠史、田淵将也、山口裕太郎、大塚友絢、新庄真太郎、大石敏之 「GaN HEMTにおけるバッファトラップからの低周波Yパラメータを再現するトラップ回路の検討」　第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会　（2020年9月26-27日）　06-2A-08.

・ 大塚友絢、山口裕太郎、山中宏冶、大石敏之、“GaN HEMTの低周波Yパラメータ特性における表面トラップの影響に対するTCAD解析” 2021年電子情報通信学会総合大会，オンライン開催　（2020年3月12日）C-10-2.

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2019年度

・ 大塚　友絢、山口 裕太郎、新庄　真太郎、大石　敏之　“GaN HEMTの自己発熱の低周波Sパラメータへの影響に関する解析” 2020年電子情報通信学会総合大会，(広島大学　東広島キャンパス，広島) 新型コロナによりオンライン開催　（2020年3月17?20日）C-10-3.

・ 大塚友絢,　山口裕太郎,　新庄真太郎,　大石敏之　「低周波Sパラメータ測定とTCADを用いたバッファトラップを考慮したGaN HEMTの自己発熱に関する検討」　電子情報通信学会研究会　ED2019-103 、2020年01月31日, 機械振興会館　p.53.

・ 島田 優馬, 竹ノ畑 拓海, 大石 敏之, "低周波ネットワークアナライザによるGaN HEMT ソース，ゲート間のトラップ評価," 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会 熊本大学、熊本（2019年11月24日）24Dp-8.

・ 浦田 幸佑, 大石 敏之, 山口 裕太郎, 大塚 友絢, 新庄 真太郎, "カスコード接続を用いたシングルシャント整流回路の RF-DC 変換効率におけるゲート幅依存性の検討," 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会 熊本大学、熊本（2019年11月24日）224Dp-9.

・ 鴨川 拓弥, ニロイ チャンドラ サハ, 大石 敏之, 金聖祐, 嘉数 誠 "サブミクロンゲ−トダイヤモンドMOSFET の電気的特性評価," 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会 熊本大学、熊本（2019年11月23日）23Bp-10.

・ 橋川　誠, 浦田幸佑, 竹ノ畑拓海, 網代康佑, 大島孝仁, 大石敏之, 「Ga2O3ショットキーバリアダイオードを用いたマイクロ波-DC変換動作の実証と負荷抵抗依存性」電子情報通信学会研究会　ED2019-38 、2019年11月21日, 静岡大学 pp.25-28.

・ 大石敏之, 「大電力レクテナ用スーパーワイドバンドギャップ半導体デバイスの研究開発の状況」 IEEE AP-S Fukuoka Chapter 特別講演、電子情報通信学会研究会　2019-11-AP-RCS、2019年11月20日, 佐賀大学.

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2018年度

・ 大石 敏之，“デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのバッファトラップが過渡応答 とドレインリークに与える影響の検討”, 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学　大岡山キャンパス，東京（2019年3月9-12日）9p-M121-14.

・ 石松 裕真, 大石 敏之, 鴨川 拓弥, ニロイ　チャンドラ　サハ,　金 聖祐、嘉数　誠，“ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波数特性”, 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学　大岡山キャンパス，東京（2019年3月9-12日）12a-M121-7.

・ 浦田幸佑，網代康佑，大石敏之，山口裕太郎，新庄真太郎，大塚友絢　　「大電力RF-DC変換に向けたGaN HEMT/Siダイオードのカスコード接続回路の検討」　電子情報通信学会研究会　ED2018-83、2019年1月17日, pp.75-78.

・ 網代 康佑，浦田 幸佑，大石 敏之，嘉数 誠 ，“ダイヤモンドダイオードを用いたRF-DC変換効率の回路シミュレーションによる計算,“　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡大学、福岡（2018年12月9日）9Ba-11.

・ 石松 裕真，大塚 友絢，大石 敏之，山口 裕太郎，新庄 真太郎，“GaN HEMTのバッファトラップが過渡応答と周波数応答に与える影響 -デバイスシミュレーションによる検討-,“　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡大学、福岡（2018年12月9日）9Ba-10.

・ 鴨川　拓弥，大石　敏之，嘉数　誠，“ダメージ領域がダイヤモンドMOSFETの電気的特性に与える影響 ―デバイスシミュレーションによる検討―,“　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡大学、福岡（2018年12月9日）9Ba-2.

・ 浦田 幸佑, 網代 康佑,大石 敏之,山口 裕太郎,大塚 友絢,新庄 真太郎，“GaN HEMTとSi SBDのカスコード接続を用いた シングルシャント整流回路の動作実証,“　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡大学、福岡（2018年12月9日）9Ba-1.

・ 深見 成, 大島 孝仁, 大石 敏之，“Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの正弦波入力に対する応答,“　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡大学、福岡（2018年12月8日）FR5B-3.

・ 山口 裕太郎、大塚 友絢、新庄 真太郎、大石 敏之，“GaNトランジスタのモデリング技術,“　2018 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2018)　パシフィコ横浜、横浜（2018年11月30日）FR5B-3. Abstract

・ 大石 敏之，“スーパーワイドバンドギャップ半導体トランジスタの研究開発の現状,“　2018 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2018)　パシフィコ横浜、横浜（2018年11月30日）FR5B-2. Abstract

・ 橋川 誠, 後藤 隆介, 富澤 三世, 三木 風帆、佐々木 公平, 倉又 朗人, 大石 敏之, 大島 孝仁，“β-Ga2O3 MOSフォトダイオードの高電界印加動作,“　第一回結晶工学×ISYSE 合同研究会, 2018年11月29日.

・ 大石 敏之，鴨川 拓弥，嘉数 誠　“DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析”, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋国際会議場，名古屋（2018年9月18-21日）21p-331-6.

・ 橋川 誠, 富澤 三世, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 大石 敏之, 大島 孝仁　“β-Ga2O3 MOSフォトダイオードの内部電界評価”, 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋国際会議場，名古屋（2018年9月18-21日）19a-224A-3.

・ 山口裕太郎，大塚友絢，半谷政毅，新庄真太郎，大石 敏之　「Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル」　電子情報通信学会研究会　MW2018-45、2018年7月19日, pp.125-130.

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2017年度

・ 石松 裕真 舟木 浩祐 桝谷 聡士 宮崎 恭輔 大島 孝仁 嘉数 誠 大石 敏之　「NO2ホールドピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価」　電子情報通信学会研究会　ED2017-63、2017年12月1日, 名古屋工業大学 pp.69-72.

・ 山口裕太郎，山中宏治，大石敏之，”非線形容量におけるトラップの影響を考慮したKa 帯大信号GaN モデル”, 2017年電子情報通信学ソサイエティ大会, 2017年9月14日, 東京都市大学，C-2-19.

・ 大島 孝仁，橋川 誠，富澤 三世，佐々木 公平，倉又 朗人，大石 敏之，嘉数 誠，“低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子”, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5-8日）7p-C17-14.

・ 大石 敏之，山口 裕太郎，山中 宏治，“GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討”, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5-8日）7p-S22-13.

・ 舟木 浩祐，石松 裕真，桝谷 聡士，宮崎 恭輔，大島 孝仁，嘉数 誠，大石 敏之，“NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討”, 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5-8日）8a-S22-8.

・ 嘉数 誠、深見 成、石松 裕真、桝谷 聡士、大石 敏之、藤居 大樹、金 聖佑，“マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET”, 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会，早稲田大学西早稲田キャンパス，東京（2018年3月17-20日）18p-C302-9.

・ 深見 成、網代 康佑、大石 敏之、河野 直士、荒木 幸二、桝谷 聡士、嘉数 誠，“高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路”, 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会，早稲田大学西早稲田キャンパス，東京（2018年3月17-20日）18p-C302-11.

・ 網代 康佑、大石 敏之，“トラップの時定数がGaN HEMTのパルス応答に与える影響 −デバイスシミュレーションによる検討−”, 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会，早稲田大学西早稲田キャンパス，東京（2018年3月17-20日）19p-C302-15.

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2016年度

・河野直士，　嘉数　誠，　大石敏之　「ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製」　電子情報通信学会研究会　ED2016-18、2016年5月20日, pp.25-28. Abstract

・ 大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠　「ダイヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討」　第77回応用物理学会春季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ、15a-B1-4.

・ 河野 直士，大島 孝仁，嘉数 誠，大石 敏之　「酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作」第77回応用物理学会春季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，　15a-B1-5.

・河野 直士，桝谷 聡士，大島 孝仁，大石敏之　「レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオードの抵抗容量積の影響」　第77回応用物理学会春季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，　15a-B1-6.

・ 大島 孝仁，若林 諒，服部 真依，橋口 明広，河野 直人，佐々木 公平，増井 建和，倉又 朗人，山腰 茂伸，吉松 公，大友 明，大石 敏之，嘉数　誠 「β-Ga2O3用ITOオーミック電極」　第77回応用物理学会春季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，　14p-P10-24.

・ 橋口 明広，森林 朋也，花田 賢志，大島 孝，大石 敏之，輿 公祥，佐々木 公平，倉又 朗人，上田 修，嘉数 誠　「β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係」　第77回応用物理学会春季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，　16a-A22-2.

・吉川大地，網代康祐，山口裕太郎，山中宏冶，大石敏之　「小信号特性の周波数依存性を利用したGaNショットキーバリアダイオードのパラメータ抽出」，平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会，宮崎大学，2016年9月29日，05-1A-09.

・大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠 「ダイヤモンド素子を用いたレクテナの理論的検討と動作実証」，第8回集積化MEMSシンポジウム，平戸文化センター，2016年10月25日，25am2-PM-015.

・ 山口修造, 大石敏之 「GaN HEMTの低周波等価回路パラメータへのバッファトラップの影響」　電子情報通信学会研究会　MW2016-128、2016年11月17日, pp.69-72. Abstract

・大石 敏之， 山口 裕太郎， 山中 宏治　「AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 −TCADシミュレーションによる検討−」　電子情報通信学会研究会　ED2016-108、2017年1月27日, pp.63-68. Abstract

・ 河野直士, 深見成, 桝谷聡士, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之 “ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の高電圧動作”2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜，神奈川県（2017年3月14-17日）15p-315-17.

・ 舟木浩祐, 石松裕真, 桝谷聡士, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之, “ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOSFETの連続動作”, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜，神奈川県（2017年3月15日）15p-315-16.

・ 橋口明広，森林朋也，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠,“(001)β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係”, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜，神奈川県（2017年3月14日）14p-502-5.

・ 森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠, “(-201)β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係”, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜，神奈川県（2017年3月14日）14p-502-4.

・ 加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠,“β-(AlxGa1-x)2O3ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察”, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜，神奈川県（2017年3月14日）14a-502-6.

・ 大石　敏之，山口　裕太郎，山中　宏治，“ゲート金属残留応力がGaN HEMTの電気的特性に与え る影響 − TCADシミュレーションによる検討 −”, 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，パシフィコ横浜，神奈川県（2017年3月16日）16a-P4-29.

・ 山口裕太郎，半谷政毅，山中宏治，大石敏之，” Ka 帯GaNHEMT の分布型大信号モデル”, 2017年電子情報通信学会総合大会, 2016年3月22日,名城大学，C-2-14.

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2015年度

・河野直士，大石敏之，嘉数誠「ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製」　第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日、東工大、20p-P9-20.

・大石敏之，河野直士，嘉数誠，「高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案」　第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大、20p-P9-19.

・大石敏之，嘉数誠，「高濃度Snドープβ-Ga2O3(2-01)単結晶の温度特性の検討」　第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大、20p-P9-18.

・嘉数誠，原田和也，花田賢志、大石敏之，「β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布」　第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月21日，東工大、21a-S222-8.

・嘉数誠，原田和也，古賀優太、花田賢志、大石敏之，「ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製」　第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月21日，東工大、22p-W541-6.

・山口裕太郎，新庄真太郎，半谷政毅，山中宏治，大石敏之　「Si基板中キャリアの温度依存特性を考慮したGaN-on-Siのモデリング」2016年電子情報通信学会総合大会, 2016年3月15日,九州大学 C-10-5.

・大石敏之，嘉数誠　「等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算　―大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討―」電子情報通信学会研究会　ED2015-116、2016年1月20日, pp.25-29. Abstract

・古賀優太、原田和也、花田賢志、大石敏之、嘉数誠、 "Snドープβ-Ga2O3(2-01)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製,” 　名古屋国際会議場、2015年9月15日, 15p-1B-3.

・古賀優太、原田和也、花田賢志、大石敏之、嘉数誠、 "NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製,” 名古屋国際会議場、2015年9月16日, 16p-4C-4.

・大石敏之、嘉数誠、 "将来が期待される萌芽的デバイス -さらなる高出力高周波化に向けて-,” 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会 チュートリアルセッション、東北大学、 2015年9月9日, CT-1-7.

・山口裕太郎、桑田英悟、山中宏治、大石敏之、 "複数のトラップを考慮したGaN HEMTの大信号モデル,” 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会、東北大学、 2015年9月9日, C-2-11.

・大石敏之、岸川拓也、吉川大地、古賀優太、嘉数誠、 "NO2吸着ダイヤモンドFETデバイスモデルの提案,” 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会、東北大学、 2015年9月8日, C-10-2.

・古賀優太、原田和也、花田賢志、大石敏之、嘉数誠、 "高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製,” 電子情報通信学会研究会　ED2015-22、豊橋技科大、 2015年5月28日, pp.31-34. Abstract

・山口修造、大石敏之、山口裕太郎、山中宏治、 "浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析,” 電子情報通信学会研究会　ED2015-23、豊橋技科大、 2015年5月28日, pp.35-40. Abstract

・大石敏之、東竜太郎、原田和也、古賀優太、平間一行、嘉数誠、 "Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション,” 電子情報通信学会研究会　ED2015-24、豊橋技科大、 2015年5月28日, pp.41-44. Abstract

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2014年度

・山口裕太郎、南條拓真、小山英寿、加茂宣卓、山中宏治、大石敏之, "過渡応答測定とTCADによるGaN HEMTのトラップモデリング," 電子情報通信学会研究会　ED2014-129, MW2014-193、機械振興会館、　2015年1月8日, pp.71-76. Abstract

・古賀　優太、原田　和也、大石　敏之、嘉数　誠 "高移動度β-Ga2O3単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製," 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月12日、　東海大学　12a-D10-6.

・吉川　大地、山口　裕太郎、山中　宏治、大石　敏之 "GaNショットキーバリアダイオードの順方向特性におけるアノード電極端効果," 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月12日、　東海大学　12a-A21-6.

・山口　修造、山口　裕太郎、山中　宏治、大石　敏之 "三端子構造を用いたGaNショットキーバリアダイオードの寄生抵抗解析," 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月12日、　東海大学　12a-A21-7.

・山口　裕太郎、大塚　浩志、小山　英寿、加茂　宣卓、南條　拓真、山中　宏治、大石　敏之 "低周波インピーダンス測定によるGaN HEMTのトラップモデリング," 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会　2015年3月12日、　東海大学　12p-A21-8.

・大石　敏之、山口　裕太郎、大塚　浩志, "回路設計のためのデバイスモデリング技術," 2014 Microwave Workshops & Exhibition (MWE2014) パシフィコ横浜、2014年12月11日、ワークショップ06-4. 　Abstract

・古賀　優太、原田　和也、大石　敏之、嘉数　誠, "Ni/Auを用いたβ-Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作成," 2014年応用物理学会九州支部学術講演会　2014年12月6日、大分大学、6Ap-4.

・山口　修造、東　竜太郎、中野　浩希、吉川　大地、大石　敏之、 "三端子構造を用いたGaN SBDの順方向特性解析," 2014年応用物理学会九州支部学術講演会　2014年12月6日、大分大学、6Ba-8.

・中野　浩希、東　竜太郎、山口　修造、吉川　大地、大石　敏之、 "GaN High Electron Mobility Transistorのゲート長依存性の検討," 2014年応用物理学会九州支部学術講演会　2014年12月6日、大分大学、6Ba-9.

・原田　和也、平間　一行、大石　敏之、嘉数　誠, "ダイヤモンドMOSFET のゲート容量の周波数依存性," 2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会　2014年9月18日、北海道大学　18p-A22-15.

・山口裕太郎，大石敏之，大塚浩志，山中宏治，Teo Koon Hoo，宮本恭幸, "GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析," 2014年春季第61回応用物理学会学術講演会　2014年3月18日、青山学院大学　18p-PG3-11.

・大石敏之，山口裕太郎，大塚浩志，山中宏治，野上洋一，福本宏，宮本恭幸, "GaNショットキーバリアダイオードの温度依存性モデル," 2014年春季第61回応用物理学会学術講演会　2014年3月18日、青山学院大学　19p-D8-6.