SAGA UNIVERSITY
POWER ELECTRONICS LABORATORY (Prof. Kasu)

ダイヤモンド結晶成長装置（マイクロ波プラズマCVD装置）

ダイヤモンド・トランジスタに用いる高純度のダイヤモンド結晶を作製します。

ワイドギャップ半導体・結晶成長装置(分子線エピタキシー装置)

窒化物半導体を作製する装置です。

高温デバイス測定装置

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高温(1000℃)でダイヤモンドFETや酸化ガリウム、IGBT、パワーMOSの測定を行います。

フォトリソグラフィー装置

フォトマスクを使って、半導体ウェハー上にデバイス構造をパターニングする装置です。２〜３ミクロンメートルのパターンを作ることが出来ます。

原子間力顕微鏡

半導体表面の形態(モフォロジー)を原子レベルで観察することができます。作成中の半導体デバイスの確認するときにも使われます。

トランジスタ特性測定装置

作成したトランジスタの特性を測定します。

原子層堆積測定(ALD)

ダイヤモンド素子のMOS構造の絶縁膜の堆積を行います,
オリジナルの設計の装置です。

シンクロトロンX線トポグラフィー装置

九州シンクロトロン光研究センターのビームラインを使って、X線トポグラフィーの研究を行っています。

吉野ヶ里メガソーラー高速測定システム（神崎市）

NEDOプロジェクトで当研究室で構築した測定システムです。